非常に豊富な可逆層(very ample invertible sheaf)とは、スキームの射 $X\to Y$ について、$X$ から射影空間 $\mathbb{P}^n_Y$ へのはめ込みによるひねり層 $\mathcal{O}(1)$ の引き戻しと同型になる可逆層である。底がアフィンなら、層を生成する切断が定める射がはめ込みになることと同値で、$X$ が固有ならはめ込みは閉埋め込みにとれる。非常に豊富な可逆層のテンソル積はまた非常に豊富である。Noether 環上有限型のスキームでは、可逆層が豊富であることとある冪が非常に豊富であることは同値だが、楕円曲線上の 1 点の因子のように豊富でも非常に豊富とは限らない。
スキーム $X$ を射影空間の中に実現するには、$X$ から $\mathbb{P}^n$ へのはめ込みを作ればよい。射影空間への射の主定理により、$X$ から $\mathbb{P}^n$ への射は可逆層とそれを生成する切断の組で与えられるので、「埋め込みを与える可逆層」を考えるのが自然である。これが非常に豊富な可逆層(very ample invertible sheaf)であり、$X$ のはめ込み $i$ によるひねり層 $\mathcal{O}(1)$ の引き戻しとして定義される。
非常に豊富であることは、はめ込み先の射影空間、すなわち底のスキームに依存する相対的な概念である。これに対して豊富な可逆層は $X$ だけで決まる絶対的な概念で、Noether 環上有限型のスキームでは「ある冪が非常に豊富」と同値になる。この記事では、非常に豊富な可逆層の定義と切断による言い換え、テンソル積で閉じることを証明し、豊富だが非常に豊富でない可逆層の例を楕円曲線で与える。
この記事では、射 $i\colon X\to Z$ がはめ込み(immersion)であるとは、$Z$ のある開部分スキーム $W$ への閉埋め込み $X\to W$ と開埋め込み $W\to Z$ の合成であることをいう(射影射・豊富な可逆層の記事と同じ流儀)。Har77 II §5(p. 120)は「$X$ が $Z$ のある閉部分スキームの開部分スキームと同型になる射」を定義に採る。後者なら前者が成り立ち、$i$ が準コンパクト(たとえば $X$ が Noether)なら逆も成り立つ(スキーム論的像をとる。射影射の系「固有スキームの射影性の判定」の証明)。
$f\colon X\to Y$ をスキームの射、$\mathcal{L}$ を $X$ 上の可逆層とする。$\mathcal{L}$ が $Y$ 上($f$ に関して)非常に豊富(very ample)であるとは、ある $n\ge0$ と、$Y$ 上のはめ込み $i\colon X\to\mathbb{P}^n_Y$ で $\mathcal{L}\cong i^*\mathcal{O}(1)$ となるものが存在することをいう。$Y=\operatorname{Spec}A$ のときは $A$ 上非常に豊富という。
ここで $\mathbb{P}^n_Y=\mathbb{P}^n_{\mathbb{Z}}\times_{\mathbb{Z}}Y$ であり、$\mathcal{O}(1)$ は $\mathbb{P}^n_{\mathbb{Z}}$ のひねり層の引き戻しである(Serreのひねり層)。この定義は Har77 II §5 のもので、Grothendieck の EGA II 4.4.2 の定義とは少し異なる(Har77 p. 120 の注意。相対的な場合の違いは射影射の記事にある)。底が $\operatorname{Spec}A$ で、$A$ が Noether 環、$X$ が $A$ 上有限型のとき、この記事の定義は 豊富な可逆層の記事で用いる定義と同じである。
$A$ を環、$X$ を $A$ スキーム、$\mathcal{L}$ を $X$ 上の可逆層とする。
1:はめ込み $i\colon X\to\mathbb{P}^n_A$ と同型 $\theta\colon i^*\mathcal{O}(1)\to\mathcal{L}$ があれば、$s_j:=\theta(i^*x_j)$ は $\mathcal{L}$ を生成し、射影空間への射の定理「射影空間への射と切断の組」の一意性により、組 $(\mathcal{L};s_0,\dots,s_n)$ に対応する射は $i$ である。逆は定義そのものである。2:前半は射影射の命題「固有射と非常に豊富な可逆層」である。後半:$X$ が射影的なら、閉埋め込み $X\to\mathbb{P}^n_A$ による $\mathcal{O}(1)$ の引き戻しは非常に豊富であり、射影射は固有である(固有射の定理「射影射の固有性」)。逆は前半による。$\square$
1:$i\colon X\to Y$ が開集合 $W\subset Y$ への閉埋め込み、$j\colon Y\to Z$ が開集合 $W'\subset Z$ への閉埋め込みを経るとする。$j$ は $Y$ を $W'$ の閉集合と同一視するので、$W=Y\cap W''$ となる開集合 $W''\subset W'$ がある。$Y\cap W''\to W''$ は閉埋め込み $Y\to W'$ の制限なので閉埋め込みで、$X\to W\to W''$ は閉埋め込みの合成(閉埋め込みの命題「閉埋め込みの合成」)である。$W''$ は $Z$ の開集合なので $j\circ i$ ははめ込みである。2:閉埋め込みの底変換は閉埋め込み(閉埋め込みの命題「閉埋め込みの底変換」)、開埋め込みの底変換は開埋め込みである。3:グラフ射は、対角射 $\Delta\colon\mathbb{P}^m_A\to\mathbb{P}^m_A\times_A\mathbb{P}^m_A$ の $\psi\times\mathrm{id}$ による底変換である。$\mathbb{P}^m_A$ は $A$ 上分離的(Proj(次数付き環の射影スキーム)の定理「構造射の分離性」)なので $\Delta$ は閉埋め込みであり、2 の証明と同じく底変換も閉埋め込みである。$\square$
$n,m\ge0$、$N=(n+1)(m+1)-1$ とし、$\sigma\colon\mathbb{P}^n_Y\times_Y\mathbb{P}^m_Y\to\mathbb{P}^N_Y$ を Segre 埋め込み(Segre埋め込み)とする。これは閉埋め込みである(射影射の命題「Segre埋め込みは閉埋め込みである」)。2 つの射影を $p,q$ とし、$\mathcal{O}(a,b):=p^*\mathcal{O}(a)\otimes q^*\mathcal{O}(b)$ とおく。
$\sigma^*\mathcal{O}(1)\cong\mathcal{O}(1,1)$ であり、この同型で座標 $z_{kl}$ の引き戻しは $p^*x_k\otimes q^*y_l$ に対応する。
$Y=\operatorname{Spec}\mathbb{Z}$ の場合を示せば、底変換で一般の $Y$ に移る。切断 $t_{kl}:=p^*x_k\otimes q^*y_l$ は、$U_{ij}:=D_+(x_i)\times D_+(y_j)$ の上で $t_{ij}$ が $\mathcal{O}(1,1)$ の基底になるので $\mathcal{O}(1,1)$ を生成し、$t_{ij}$ が消えない点の集合はちょうど $U_{ij}$ である。$U_{ij}$ の上で $t_{kl}/t_{ij}=(x_k/x_i)(y_l/y_j)$ なので、射影空間への射の定理「射影空間への射と切断の組」により組 $(\mathcal{O}(1,1);t_{kl})$ に対応する射は、$U_{ij}$ を $D_+(z_{ij})$ へ $z_{kl}/z_{ij}\mapsto(x_k/x_i)(y_l/y_j)$ で写す射である。これは $\sigma$ の定義そのもの(射影射の命題「Segre埋め込みは閉埋め込みである」)なので、同じ定理により $\sigma^*\mathcal{O}(1)\cong\mathcal{O}(1,1)$、$\sigma^*z_{kl}\mapsto t_{kl}$ である。$\square$
$f\colon X\to Y$ をスキームの射、$\mathcal{L},\mathcal{M}$ を $X$ 上の可逆層とする。
どの場合も、$\mathbb{P}^n\times\mathbb{P}^m$ へのはめ込み $h$ を作り、$\sigma\circ h$ がlem-va-immersion の 1 によりはめ込みであることと、lem-va-segre により $(\sigma\circ h)^*\mathcal{O}(1)\cong h^*\mathcal{O}(1,1)$ であることを使う。
1:$Y$ 上のはめ込み $i\colon X\to\mathbb{P}^n_Y$、$j\colon X\to\mathbb{P}^m_Y$ で $i^*\mathcal{O}(1)\cong\mathcal{L}$、$j^*\mathcal{O}(1)\cong\mathcal{M}$ となるものをとる。$h:=(i,j)\colon X\to\mathbb{P}^n_Y\times_Y\mathbb{P}^m_Y$ は、対角射 $X\to X\times_YX$ と $i\times j=(i\times\mathrm{id})\circ(\mathrm{id}\times j)$ の合成である。対角射ははめ込みであり(分離射の命題「対角射はつねにはめ込みである」)、$i\times\mathrm{id}$ と $\mathrm{id}\times j$ ははめ込みの底変換なので、lem-va-immersion により $h$ ははめ込みである。$p\circ h=i$、$q\circ h=j$ なので $h^*\mathcal{O}(1,1)\cong\mathcal{L}\otimes\mathcal{M}$ である。冪については 1 を繰り返せばよい。
2:$\mathcal{M}$ を生成する切断 $t_0,\dots,t_m$ に対応する射を $\psi\colon X\to\mathbb{P}^m_A$ とすると $\psi^*\mathcal{O}(1)\cong\mathcal{M}$ である(射影空間への射)。$i\colon X\to\mathbb{P}^n_A$ をはめ込みとし、$h:=(i,\psi)$ をグラフ射 $X\to X\times_A\mathbb{P}^m_A$ と $i\times\mathrm{id}\colon X\times_A\mathbb{P}^m_A\to\mathbb{P}^n_A\times_A\mathbb{P}^m_A$ の合成として書く。前者は lem-va-immersion の 3 により閉埋め込み、後者ははめ込みの底変換なので、$h$ ははめ込みで $h^*\mathcal{O}(1,1)\cong\mathcal{L}\otimes\mathcal{M}$ である。
3:$Y$ 上のはめ込み $i\colon X\to\mathbb{P}^n_Y$ と $Z$ 上のはめ込み $j\colon Y\to\mathbb{P}^m_Z$ をとる。$\mathbb{P}^n_Y=\mathbb{P}^n_Z\times_ZY$ であり、$\mathrm{id}\times j\colon\mathbb{P}^n_Z\times_ZY\to\mathbb{P}^n_Z\times_Z\mathbb{P}^m_Z$ は $j$ の底変換なのではめ込みである。$h:=(\mathrm{id}\times j)\circ i$ は $Z$ 上のはめ込みで、$p\circ h$ は $i$ と射影 $\mathbb{P}^n_Y\to\mathbb{P}^n_Z$ の合成、$q\circ h=j\circ f$ である。$\mathbb{P}^n_Y$ の $\mathcal{O}(1)$ は $\mathbb{P}^n_Z$ の $\mathcal{O}(1)$ の引き戻しなので、$h^*\mathcal{O}(1,1)\cong i^*\mathcal{O}(1)\otimes f^*j^*\mathcal{O}(1)\cong\mathcal{L}\otimes f^*\mathcal{N}$ である。$\square$
1 と 3 は、Har77 II 演習 5.12 の (a)・(b) の主張を、はめ込みをこの記事の流儀で読んだものである($X$ が Noether なら 2 つの流儀は一致する)。2 で $\mathcal{M}$ の大域生成は外せない(ex-va-counterexamples)。
$A$ を Noether 環、$X$ を $A$ 上有限型のスキーム、$\mathcal{L}$ を $X$ 上の可逆層とする。$\mathcal{L}$ が豊富であるための必要十分条件は、ある $m\ge1$ について $\mathcal{L}^{\otimes m}$ が $A$ 上非常に豊富であることである。とくに $A$ 上非常に豊富な可逆層は豊富である。
豊富性は $X$ だけで決まる性質だが、非常に豊富であることは底 $Y$ に依存する(Har77 II 注意 7.4.1)。定理が底をアフィン $\operatorname{Spec}A$ に限っているのはこのためで、底を $X$ 自身にとると次のように成り立たない。
任意のスキーム $X$ について、構造層 $\mathcal{O}_X$ は $X$ 上(恒等射に関して)非常に豊富である。$\mathbb{P}^0_X=X$ であり、恒等射 $X\to\mathbb{P}^0_X$ による $\mathcal{O}(1)$ の引き戻しが $\mathcal{O}_X$ だからである。一方 $X=\mathbb{P}^1_k$($k$ は体)なら $\mathcal{O}_X$ は豊富でない(豊富な可逆層の例「反例:自明な可逆層と負のひねり層」)ので、thm-va-ample により $k$ 上非常に豊富でもない。
$k$ を体、$n\ge1$ とする。$\mathbb{P}^n_k$ 上の $\mathcal{O}(d)$ が $k$ 上非常に豊富であるための必要十分条件は $d\ge1$ である。$d\ge1$ なら $\mathcal{O}(d)$ は $d$ 次の Veronese 埋め込みによる $\mathcal{O}(1)$ の引き戻しである(射影空間への射の例「Veronese 埋め込み」)。$d\le0$ なら $\mathcal{O}(d)$ は豊富でない(豊富な可逆層の例「反例:自明な可逆層と負のひねり層」)ので、thm-va-ample により非常に豊富でない(Har77 II 例 7.6.1)。
$k$ を体とし、$\mathbb{P}^1_k\times_k\mathbb{P}^1_k$(2 次曲面 $xy=zw$ と同型。Segre埋め込み)上の $\mathcal{O}(a,b)$ を考える。$\mathcal{O}(a,b)$ が $k$ 上非常に豊富であるための必要十分条件は $a\ge1$ かつ $b\ge1$ である。$a,b\ge1$ なら、$\mathcal{O}(1,1)$ は lem-va-segre により非常に豊富で、$\mathcal{O}(a-1,b-1)$ は斉次多項式の引き戻し $p^*M\otimes q^*M'$($M,M'$ はそれぞれ次数 $a-1,b-1$ の単項式)の有限個で生成されるので、thm-va-tensor の 2 により $\mathcal{O}(a,b)$ は非常に豊富である。逆に $a\le0$ または $b\le0$ なら $\mathcal{O}(a,b)$ は豊富でない(豊富な可逆層の命題「射影空間の積の上の豊富な可逆層」)ので、非常に豊富でない。Har77 II 例 7.6.2 は Veronese 埋め込みの積と Segre 埋め込みの合成で同じ結論を得ている。
$k$ を代数閉体、$X$ を $k$ 上の種数 $g$ の非特異射影曲線(代数曲線)、$D$ を因子とする。$\deg D\ge2g+1$ なら $\mathcal{O}_X(D)$ は非常に豊富である(Har77 IV 系 3.2。この記事では証明しない)。証明は 射影空間への射の定理「点と接ベクトルの分離による判定」の条件 1・2 を Riemann–Rochの定理で確かめるものである。$g=0$ では $X\cong\mathbb{P}^1_k$ で、次数 $d\ge1$ の可逆層 $\mathcal{O}(d)$ はすべて非常に豊富である。
$k$ を標数が $2,3$ でない代数閉体とし、$X\subset\mathbb{P}^2_k$ を 3 次曲線 $y^2z=x^3-xz^2$、$P_0=[0:1:0]$ とする。$\mathcal{L}:=\mathcal{O}_X(P_0)$ は豊富だが、$k$ 上非常に豊富でない。
アフィン部分 $z=1$ は $y^2=x^3-x$ で、右辺は相異なる根 $0,\pm1$ をもつので判別式は $0$ でなく、$(X,P_0)$ は楕円曲線であり(楕円曲線の命題「滑らかさと判別式」)、$X$ は種数 $1$ の非特異射影曲線である。
豊富であること:直線 $z=0$ と $X$ の交わりは $x^3=0$ より $P_0$ だけである。$P_0$ の近傍 $y\neq0$ で $u=x/y$、$v=z/y$ とおくと $X$ は $v=u^3-uv^2$、すなわち $v(1+uv)=u^3$ で与えられ、$P_0$ は原点である。$1+uv$ は原点で単元なので $v=u^3\cdot(\text{単元})$ であり、$u$ が $P_0$ での局所パラメータ($X$ は $P_0$ で非特異で、接線は $v=0$)だから $\operatorname{ord}_{P_0}(v)=3$ である。よって切断 $z|_X\in\Gamma(X,\mathcal{O}_X(1))$ の因子は $3P_0$ で、$\mathcal{O}_X(1)\cong\mathcal{O}_X(3P_0)=\mathcal{L}^{\otimes3}$ である。$\mathcal{O}_X(1)$ は閉埋め込みによる引き戻しなので非常に豊富であり、thm-va-ample により $\mathcal{L}$ は豊富である。
非常に豊富でないこと:$\Gamma(X,\mathcal{L})$ は $\operatorname{div}f+P_0\ge0$ となる有理関数 $f$ の空間 $L(P_0)$ と同一視される。種数 $1$ なので標準因子は次数 $0$ で $\ell(K)=1$ から $K\sim0$ であり、Riemann–Rochの定理により $\ell(P_0)-\ell(K-P_0)=\deg P_0+1-g=1$、$\ell(K-P_0)=\ell(-P_0)=0$ なので $\ell(P_0)=1$、すなわち $\Gamma(X,\mathcal{L})$ は定数関数 $1$ で張られる。この切断が定める有効因子は $P_0$ なので、$\mathcal{L}$ の大域切断はすべて $P_0$ で消え、$\mathcal{L}$ は大域切断で生成されない。prop-va-sections の 1 により、非常に豊富な可逆層は大域切断で生成されるので、$\mathcal{L}$ は非常に豊富でない。$\square$
同じ現象は $\mathcal{O}_X(2P_0)$ でも起こる(豊富な可逆層の例「反例:豊富だが非常に豊富でない可逆層」)。$\mathcal{O}_X(2P_0)$ は大域切断で生成されるが、その 2 つの切断が定める射は次数 2 の被覆 $X\to\mathbb{P}^1_k$ で、はめ込みではない。$\deg D\ge3=2g+1$ なら $\mathcal{O}_X(D)$ は非常に豊富である(ex-va-curve)。
| 外す条件 | 反例 | 成り立たなくなること |
|---|---|---|
| 冪をとる(thm-va-ample の $m$) | 楕円曲線上の $\mathcal{O}_X(P_0)$(ex-va-elliptic) | 豊富 $\Rightarrow$ 非常に豊富 |
| 底がアフィン(thm-va-ample) | $\mathbb{P}^1_k$ 上の $\mathcal{O}$ を $\mathbb{P}^1_k$ 上で考える(ex-va-relative) | 非常に豊富 $\Rightarrow$ 豊富 |
| $\mathcal{M}$ が大域生成(thm-va-tensor の 2) | $\mathbb{P}^1_k$、$\mathcal{L}=\mathcal{O}(1)$、$\mathcal{M}=\mathcal{O}(-1)$ | $\mathcal{L}\otimes\mathcal{M}$ が非常に豊富 |
| $X$ が固有(prop-va-sections の 2) | $\mathbb{A}^1_k$ 上の $\mathcal{O}$、はめ込み $t\mapsto[1:t]$ | はめ込みを閉埋め込みにとれること |
3 行目では $\mathcal{L}\otimes\mathcal{M}\cong\mathcal{O}$ で、ex-va-projective-space により非常に豊富でない。4 行目では $\mathcal{O}_{\mathbb{A}^1}$ はたしかに $k$ 上非常に豊富だが、$\mathbb{P}^n_k$ の閉部分スキームは $k$ 上固有で $\mathbb{A}^1_k$ は固有でない(固有射の例「反例:アフィン直線」)ので、閉埋め込み $\mathbb{A}^1_k\to\mathbb{P}^n_k$ は存在しない。
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